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IRFL1006中文资料

IRFL1006图片

IRFL1006外观图

  • 大小：127.51KB
  • 厂家：
  • 描述：HEXFET? Power MOSFET
  • 标准包装：80
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：220 毫欧 @ 1.6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：160pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：SOT-223
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRFL1006

IRFL1006供应商

更新时间:2023-01-05 01:07:31
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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